Si N沟道MOSFET具有低漏源导通电阻和快速反向恢复能力。这些MOSFET可轻松控制栅极开关。

TK16x60W MOSFET有各种尺寸可选，采用DFN8x8、TO-247、TO-3P(N)、D2PAK、TO-220和

TO-220SIS不同封装。这些 TK16x60W Si N沟道MOSFET用于开关稳压器。

特性

• 低漏极-源极导通电阻RDS(ON)  ：0.16Ω至0.196Ω
• 易于控制的栅极开关
• 增强模式Vth ：2.7V至4.5V
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