东芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先进的单外延工艺，与上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，

这是 MOSFET 的性能指标。RDS（on） 的降低使得将 RDS（on） 较低的芯片封装在同一封装中成为可能。

这有助于提高效率并减小电源的尺寸。东芝 DTMOSIV  MOSFET 非常适合与开关稳压器一起使用。

特征：
低漏源通电阻
易于控制门开关
与上一代相比，RDS（ON）减少30%
电源开关效率最高
减少成本
封装选项包括DPAK、IPAK、D2 PAK、8 mm x 8 mm DFN、I2 PAK、TO-220、TO-220 SIS、TO-247、TO-3 P（N）和TO-3 P（L）

应用程序：
开关模式电源（SMPS）
照明
功率因数控制（PFC）
工业（包括 UPS）