TOSHIBA(东芝)-SSM3J351R

1.SSM3J351R应用

 • 电源管理开关 

2.SSM3J351R特性 

（1） 4 V 驱动 
（2） 低漏源导通电阻 ：
 RDS（ON） = 107 mΩ（典型值） （VGS = -10 V）

 RDS（ON） = 122 mΩ（典型值） （VGS = -4.5 V）

 RDS（ON） = 129 mΩ（典型值） （VGS = -4.0 V）

3.SSM3J351R绝对最大额定值 （注） （除非另有说明，否则 Ta = 25 ）

注：在重负载下连续使用（例如施加高温/电流/电压和温度的显着变化等）可能会导致本产品的可靠性显着下降，即使使用条件（即工作温度/电流/电压等）在绝对最大额定值范围内。请在查看东芝半导体可靠性手册（“处理注意事项”/“降额概念和方法”）和各个可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）后设计适当的可靠性。

注 1：确保通道温度不超过 150 。

注 2：脉冲宽度 （PW） ≤ 1 ms，占空≤比 1 % 注 3：器件安装在 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm FR4 玻璃环氧树脂板上（铜垫：645 mm2）

 注 4：VDD = 25 V，Tch = 25 （初始状态），L = 1 mH，RG = 25 Ω注：该晶体管对静电放电敏感，应小心处理。注意：该器件中的 MOSFET 对静电放电敏感。处理此设备时，应保护工作台、操作员、烙铁和其他物体免受防静电放电。注：通道到环境的热阻 Rth（ch-a） 和漏极功率耗散 PD 根据电路板材料、电路板面积、电路板厚度和焊盘面积而变化。使用此设备时，请务必充分考虑散热。

4.SSM3J351R静电特性（除非另有说明，否则 T a= 25 ）

注 1：如果在门和源之间施加反向偏置，该器件将进入 V（BR）DSX 模式。请注意，在此模式下，漏极击穿电压会降低。注 2：脉冲测量。

5.SSM3J351R动态特性（除非另有说明，T = 25）

6.SSM3J351R栅极电荷特性（除非另有说明，T = 25  ）

7.SSM3J351R源极-漏极特性（除非另有说明，Ta = 25 ）