2.SSM3J340R特性
(1)4.0 V 驱动RDS(ON) = 73 mΩ(最大值) (@VGS = -4.5 V)
RDS(ON) = 45 mΩ(最大值) (@VGS = -10 V)
注:在重负载下连续使用(例如施加高温/电流/电压和温度的显着变化等)可能会导致本产品的可靠性显着下降,即使使用条件(即工作温度/电流/电压等)在绝对最大额定值范围内。请在查看东芝半导体可靠性手册(“处理注意事项”/“降额概念和方法”)和各个可靠性数据(即可靠性测试报告和估计故障率等)后设计适当的可靠性。
注 1:确保通道温度不超过 150 。注 2:重复评级;脉冲宽度受最高通道温度限制。
注 3:安装在 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm FR4 玻璃环氧树脂板上的器件(铜焊盘:645 mm2)
注:该晶体管对静电放电敏感,应小心处理。注意:该器件中的 MOSFET 对静电放电敏感。处理此设备时,应保护工作台、操作员、烙铁和其他物体免受防静电放电。注:通道到环境的热阻 Rth(ch-a) 和漏极功率耗散 PD 根据电路板材料、电路板面积、电路板厚度和焊盘面积而变化。使用此设备时,请务必充分考虑散热。
注 1:脉冲测量。
注 1:脉冲测量
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