TK18A50D(STA4,Q,M)东芝π-MOS VII MOSFET是10V栅极驱动，单N沟道器件，将π-MOS技术与平面工艺相结合，

以提供多种电压和RDS（ON）额定值。这些高压MOSFET的漏极-源极电压范围为250V至650V，

漏极电流范围为2A至20A。Vishaiπ-MOS VII MOSFET提供TO-220-3和TO-252通孔封装以及紧

凑型DP AK-3和PW-Mold-3表面贴。

开关调节器应用程序
低漏源导通电阻：RDS（导通）=0.22（典型值）
· 高前向传输允许度:Yfs = 8.5 S（典型值）
低泄漏电流:I DSS=10μA（最大值）（VDS=500 V）
· 增强模式:Vth=2.0至4.0 V（VDS=10 V，ID=1 mA）

注1:请在通道温度低于150°C的条件下使用设备。
注2：VDD=90伏，Tch=25°C（初始值），L=2.8毫安，RG=25Ω，IAR=18安培
注3:重复额定值:脉冲宽度受最大通道温度的限制