SSM14N956L

  SSM14N956L一款12V共漏极N沟道MOSFET，额定电流为20A，主要应用于移动设备锂离子电池组的电池保护电路。

   为了提高锂离子电池组的安全性，高度稳定的保护电路是必不可少的。这些电路需要具备低功耗和高密度封装的特点，并要求MOSFET体积小巧纤薄，同时具备更低的导通电阻。

1.SSM14N956L特性

• 业界领先的[1]低导通电阻：RSS(ON)＝1.1mΩ（典型值）@VGS＝3.8V
• - 业界领先的[1]低栅源漏电流：IGSS＝±1μA（最大值）@VGS＝±8V
• - 小型化超薄TCSPED-302701封装：2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）
• - 共漏极结构，可方便地用于电池保护电路

2. SSM14N956L参数说明

3.SSM14N956L打包和引脚分配

5.SSM14N956L应用