芯控源AGM303A详情: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 30V，连续漏极电流(Id): 100A，功率(Pd): 75W

●产品概述

     AGM303D1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，提供极低的RDS(ON)。该设备是负载开关和电池保护应用的理想选择。

●产品特点

    ■先进高细胞密度沟槽技术 ■低RDS(ON)可最大限度地减少导电损耗低 ■栅极电荷实现快速切换 ■低热阻  

●应用

    ■MB/GA视频处理器 ■SMPS第二同步整流器 ■POL应用 ■无刷直流电机驱动器