芯控源AGM303A详情: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 30V，连续漏极电流(Id): 110A，功率(Pd): 70W

●产品概述

     AGM303D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。

●产品特点

    ■先进的高电芯密度沟槽技术 ■LowRDS（ON）最小化导电损耗 ■低栅极电荷用于快速开关 ■低热阻 

●应用

    ■MB/VGAV核 ■SMPS2ndSynchronousRectifier ■POL应用 ■BLDC电机驱动器