芯控源AGM302D1详情: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 30V，连续漏极电流(Id): 115A，功率(Pd): 80W

●产品概述

     AGM302D1结合了先进的沟槽MOSFET技术，采用低电阻封装，提供极低的RDS（ON）。该设备是负载开关和电池保护应用的理想选择。

●产品特点

    ■先进的高电池密度沟槽技术 ■LowRDS（ON）最小化导电损耗 ■LowGateCharge快速切换 ■低热阻 ■100%雪崩测试 ■100%DVD测试

●应用

    ■MB/VGAV核 ■SMPS2nd同步整流器 ■POL应用 ■BLDC电机驱动