芯控源AGM302A1详情: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 30V，连续漏极电流(Id): 115A，功率(Pd): 80W

●产品概述

    AGM302A1结合了先进的沟槽MOSFET技术，采用低电阻封装，提供极低的RDS（ON）。该设备是负载开关和电池保护应用的理想选择。

●产品特点

    ■先进的高电芯密度沟槽技术 ■LowRDS（ON）最小化导电损耗 ■LowGateCharge快速切换 ■低热阻 ■100%雪崩测试 ■100%DVD测试

●产品应用

     ■电子镇流器 ■电子变压器 ■开关模式电源