东芝 DTMOSIV-H MOSFET 适用于需要高可靠性、高能效和紧凑型设计的应用，例如用于服务器和电信基站的高效开关电源以及光伏逆变器电源稳压器。

东芝 DTMOSIV -H MOSFET 实现了高速开关性能，同时保持了传统 DTMOSIV 的低导通电阻水平，并且不会损失功率。这是通过降低栅极和漏极之间的

寄生电容来实现的，这也有助于提高能效和缩小产品的尺寸。

特点
1.栅极模式优化，与传统 DTMOSIV 相比，栅极漏电荷减少45%
2.由于采用单一外延工艺，在高温下的低接通电阻小幅增加
3.低接通电阻阵列
4.1个频道
5.N沟道晶体管极性
6.10V门控驱动器
7.600V漏电源击穿电压
8.7A至61.8A连续排水电流
9.0.04Ω至0.135ΩRDS（接通）最大值
10.DFN、TO-220、TO-220SIS和TO-247封装选项