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TPWR8503NL,L1Q是Toshiba U-MOSVIII-H低压高效MOSFET

网站管理员 2024-09-28

Toshiba U-MOSVIII-H低压高效MOSFET专门设计用于笔记本电脑适配器、游戏机、服务器、台式电脑、平板显示器等的AC-DC电源的二次侧,另外还

用于通信设备、服务器和数据中心的DC-DC电源。Toshiba U-MOSVIII-H低压高效MOSFET采用最新的第8代沟槽MOS工艺制造,有助于提高电源效率。

其他特性包括低漏极-源极导通电阻、低漏电流和高耐雪崩性。该系列还包括采用小型封装的汽车级MOSFET。

特性

  • 低漏极-源极导通电阻
  • 低漏电流
  • 增强模式: Vth = 2.0V至4.0V时
  • 采用专为各种电源应用设计的第8代沟槽MOS工艺制造
  • 具有高耐雪崩性
  • 与典型的第4代沟槽MOS工艺相比,导通电阻 (RON) 和输入电容 (CISS) 之间实现了更好的折衷效果
  • 与前代产品相比,可降低辐射噪声

应用

  • 开关稳压器
  • 电机驱动器
  • DC-DC转换器

附件下载

TPWR8503NL.pdf

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