东芝π-MOS VII MOSFET是10V栅极驱动，单N沟道器件，将π-MOS技术与平面工艺相结合，

以提供多种电压和RDS（ON）额定值。这些高压MOSFET的漏极-源极电压范围为250V至650V，

漏极电流范围为2A至20A。Vishaiπ-MOS VII MOSFET提供TO-220-3和TO-252通孔封装以及紧凑

型DP AK-3和PW-Mold-3表面贴。

特点
1.10V门控驱动器
2.0.1Ω至4.3Ω（@VGS=10V）最大漏源导通电阻（RDS（ON））
3.250V至650V漏电源电压
4.±20V至±30V栅极电源电压
5.2A至20A漏电流
6.30W至102W的功耗
7.380pF至1100pF输入电容

应用程序
1.开关模式电源

2.笔记本电脑和台式电脑的交流适配器
3.平板显示器
4.照明用镇流器