TOSHIBA(东芝)-SSM3J35AMFV

1.SSM3J35AMFV应用程序

• 模拟开关

2.SSM3J35AMFV特点

(1) 1.2 V驱动
(2)低漏极电阻：
RDS（ON）=3.2Ω（类型）（@VGS=-1.2V）
RDS（ON）=2.3Ω（类型）（@VGS=-1.5V
RDS（ON）=2.0Ω（典型版）（@VGS=-1.8V）
RDS（ON）=1.5Ω（类型）（@VGS=-2.5V）
RDS（ON）=1.1Ω（类型）(@VGS = -4.5 V)

3.SSM3J35AMFV绝对最大额定值（注）（除非另有规定，Ta = 25）

注：在重负荷下连续使用（如应用高温/电流/电压和温度的显著变化等）即使有运行条件（即运行温度/电流/电压等），也可能导致该产品的可靠性显著降低。在绝对最大评级范围内。请在审查东芝半导体可靠性手册（“处理注意事项”/“降低概念和方法”）和个别可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）后，设计适当的可靠性。注1：确保通道温度不超过150�。注2：安装在FR4板上（25.4 mm×25.4 mm×1.6 mm，铜垫0.585 mm2）注3：安装在FR4板上（25.4 mm×25.4 mm×1.6 mm，铜垫645 mm2）

注：该晶体管对静电放电很敏感，应小心处理。注：本装置中的mosfet对静电放电很敏感。在操作该设备时，应保护工作台、操作人员、焊铁等物体的防静电放电。注：通道到环境的热阻Rth（ch-a）和排水功耗PD根据板材料、板面积、板厚度和垫面积而不同。在使用此设备时，一定要充分考虑散热因素。

4.SSM3J35AMFV静电放电试验（Ta=25）

注：根据JEITA ED-4701标准进行了静电放电试验，并确认了上述结果。

5.SSM3J35AMFV静态特性（除非另有规定，Ta = 25）

注1：如果在栅极和源之间施加反向偏置，该设备将进入V（BR）DSX模式。请注意，在此模式下，排水管击穿电压降低。注2：设V为栅极和源极之间施加的电压，导致漏极电流（ID）低于（该设备为-100µA）。然后，对于正常的切换操作，VGS（ON）必须高于Vth，并且VGS（OFF）必须低于Vth。这种关系可以表示为： VGS（OFF）< Vth < VGS（ON）。在使用该设备时要考虑到这一点。注3：脉冲测量。

6.SSM3J35AMFV动态特性（除非另有规定，Ta = 25）

7.SSM3J35AMFV源-排水特性（除非另有规定，Ta = 25）