Toshiba 650V DTMOS-VI超级结MOSFET设计用于在开关电源下工作。

该系列N沟道MOSFET具有高速开关特性和较低电容。

 650V DTMOS-VI超级结MOSFET硅MOSFET提供0.092Ω至0.175Ω低漏电流导通电阻。

这些器件具有10V漏源电压。

特性

• 低漏源导通电阻
• 高速开关特性，低电容
• 增强模式：Vth=3V至4V（VDS=10V）

规范