TOSHIBA(东芝)-SSM3J355R

1.SSM3J355R应用

 • 电源管理开关

2.SSM3J355R特性 

（1）1.8 V 驱动 
（2) 低漏源导通电阻 ： 
RDS（ON） = 36.0 mΩ（典型值） （VGS = -1.8 V） 

RDS（ON） = 28.0 mΩ（典型值） （VGS = -2.5 V） 

RDS（ON） = 23.0 mΩ（典型值） （VGS = -4.5 V）

3.SSM3J355R绝对最大额定值 （注） （除非另有说明，否则 Ta = 25 )

注：在重负载下连续使用（例如施加高温/电流/电压和温度的显着变化等）可能会导致本产品的可靠性显着下降，即使使用条件（即工作温度/电流/电压等）在绝对最大额定值范围内。请在查看东芝半导体可靠性手册（“处理注意事项”/“降额概念和方法”）和各个可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）后设计适当的可靠性。

注 1：确保通道温度不超过 150 度。

注 2：脉冲宽度 （PW） ≤ 1 ms，占空比 ≤ 1 % 

注 3：器件安装在 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm FR4 玻璃环氧树脂板上（铜垫：645 mm2） 注：该晶体管对静电放电敏感，应小心处理。注意：该器件中的 MOSFET 对静电放电敏感。处理此设备时，应保护工作台、操作员、烙铁和其他物体免受防静电放电。

注：通道到环境的热阻 Rth（ch-a） 和漏极功率耗散 PD 根据电路板材料、电路板面积、电路板厚度和焊盘面积而变化。使用此设备时，请务必充分考虑散热。

4.SSM3J355R静电特性（除非另有说明，否则 Ta= 25 ）

注 1：如果在门和源之间施加反向偏置，该器件将进入 V（BR）DSX 模式。请注意，在此模式下，漏极击穿电压会降低。

注 2：设 Vth 为施加在栅极和源极之间的电压，该电压导致漏极电流 （ID） 低于 （本器件为 -1 mA）。然后，对于正常的开关操作，VGS（ON） 必须高于 Vth，VGS（OFF） 必须低于 Vth。此关系可以表示为：VGS（OFF） < Vth < VGS（ON）。使用设备时请考虑这一点。注 3：脉冲测量。

5.SSM3J355R动态特性（除非另有说明，Ta= 25 ）

6.SSM3J355R栅极电荷特性（除非另有说明，Ta = 25 ）

7.SSM3J355R源极-漏极特性（除非另有说明，Ta = 25 ）