注:在重负载下连续使用(例如施加高温/电流/电压和温度的显着变化等)可能会导致本产品的可靠性显着下降,即使使用条件(即工作温度/电流/电压等)在绝对最大额定值范围内。请在查看东芝半导体可靠性手册(“处理注意事项”/“降额概念和方法”)和各个可靠性数据(即可靠性测试报告和估计故障率等)后设计适当的可靠性。注 1:使用过程中通道温度不应超过 150°C。注 2:PW ≤ 1ms,占空比 ≤ 1% 注 3:安装在 FR4 板上。(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm,铜垫:645 mm2)
注 4:脉冲测试 注 5:如果在栅极和源之间施加正向偏置,则该器件将进入 V(BR)DSX 模式。请注意,在此模式下,漏源击穿电压会降低。
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