Toshiba  车规级U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N沟道功率MOSFET，是汽车应用的理想选择。

它们具有采用专有技术的低导通电阻，使用铜连接器。  它们具有2.5V至3.5V的窄栅极阈值电压范围，

从而降低了开关时间容差。

特性

• 业界领先的低导通电阻
  • RDS (ON)= 3.0mΩ（典型值）（VGS = 10V时）(XPN3R804NC)
  • RDS (ON)= 6.11mΩ（最大值）（VGS=10V时）(TK60S10N1L/TK60F10N1L)
  • RDS (ON)= 6.31mΩ（最大值）（VGS= 10V时）(TK60R10N1L)
• 窄栅极阈值电压范围
  • Vth= 1.5V至2.5V (窄：1V范围）(XPN3R804NC)
  • Vth= 2.5V至3.5V（窄：1V范围）（TK60S10N1L/TK60F10N1L/TK60 R10N1L）
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• 低热阻
  
  • Rth(ch-c)=0.83°c/W（最大值）(TK60S10N1L)
  • Rth(ch-c)=0.73°c/W（最大值）(TK60F10N1L/TK60R10N1L)
• 通道额定温度：Tch=175°C
• 低开关噪声
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