TK 16 N60 W Si N沟道MOSIV（DTMOSIV）采用了DTMOSIV一代的芯片设计，并有不同的变体。

Si N沟道MOS具有低漏源通电阻和快反向恢复时间的特点。这些MOS器件可以轻松控制栅极开关。

TK 16 x60 W MOS有不同尺寸可供选择，采用DFN 8x8、TO-247、TO-3 P（N）、D2 PAK、TO-220

和TO-220 SIS不同封装。这些TK 16 x60 W Si N沟道MOS器件用于开关电压调节器。

1. 应用

开关型电压调节器

2。特点

（1）低排水源接通电阻:RDS（ON）=0.16Ω (typ.) 用于超级结结构:DTMOS

（2）易于控制门开关

（3）增强方式:Vth=2.7至3.7伏（VDS=10伏，ID=0.79毫安）