首页
新闻资讯
公司新闻
产品新闻
热点新闻
产品中心
MELEXIS
TOSHIBA
TRINAMIC
ST
Onsemi
AGMSEMI
TI
MPS
ADI
INFINEON
案例中心
公司案例
产品案例
合作伙伴
授权代理
现货分销
公司介绍
联系我们
CN
EN
首页
/
TOSHIBA
/
正文
2SK2009(TE85L,F)
网站管理员
2024-08-31
2SK2009(TE85L,F)
2SK2009(TE85L,F)参数说明
• 高输入阻抗。
• 低栅极阈值电压:Vth = 0.5 至 1.5 V
• 出色的开关时间:ton = 0.06 μs(典型值)toff = 0.12 μs(典型值)
• 低漏源导通电阻:RDS (ON) = 1.2 Ω (典型值)
• 小型封装 • 增强模式
附件下载
2SK2009(TE85L,F).PDF
点击下载
上一篇:
2SK1062(TE85L,F)
下一篇:
SSM10N954L,EFF(S
Copyright 2005-2019 深圳市利特斯电子科技有限公司 版权所有 备案号:
粤ICP备18031876号-1
首页
产品中心
搜索查询
电话咨询