手机版产品中心头部图片
首页 / TOSHIBA / 正文

SSM3J331R,LF

网站管理员 2024-08-30

SSM3J331R MOSFET硅P沟道MOS（U-MOS）

●特性

■1.5V栅极驱动电压
■低漏源导通电阻：
▲RDS（ON）=150 mΩ（最大值）（在VGS=-1.5 V时）
▲RDS（ON）=100 mΩ（最大值）（在VGS=-1.8 V时）
▲RDS（On）=75 mΩ（最大值）（VGS为-2.5 V时）

▲RDSON=55 MΩ（最大值）VGS为-4.5 V

●包装和引脚设置

附件下载

SSM3J331R,LF.PDF
点击下载

上一篇:

2SJ168TE85LF

下一篇:

2SJ168TE85LF

Copyright 2005-2019 深圳市利特斯电子科技有限公司 版权所有
备案号:粤ICP备18031876号-1