芯控源AGM306C详情: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 30V，连续漏极电流(Id): 60A，功率(Pd): 51W

●产品概述

     AGM306C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关和电池保护应用

●产品特点

    ■ 先进的高电池密度沟槽技术 ■ 低导通电阻（ON），可最大限度地减少导电损耗 ■ 低栅极电荷，可实现快速开关 ■ 低热阻

●应用

    ■ MB/VGA 核心 ■ SMPS 第二同步整流器 ■ POL应用 ■ BLDC电机驱动