芯控源AGM306AP详情: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 30V，连续漏极电流(Id): 46A，功率(Pd): 45W

●产品概述

     AGM306AP是高电池密度沟槽N沟道MOSFET，它为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷

●产品特点

    ■ 100% EAS 保证 ■ 超低栅极电荷  ■ 出色的 CdV/dt 效应下降 ■ 先进的高电池密度沟槽技术