芯控源AGM205D详情: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 20V，连续漏极电流(Id):90A，功率(Pd): 68W

●产品概述

     AGM205D结合先进的沟槽MOSFET技术，采用低电阻封装，提供极低的RDS（ON）。该设备是负载开关和电池保护应用的理想选择。

●产品特点

    ■先进的高电芯密度沟槽技术 ■LowRDS（ON）最小化导电损耗 ■低栅极电荷快速切换 ■低热阻

●产品应用

     ■MB/VGAV核 ■SMPS2nd同步整流器 ■POL应用 ■BLDC电机驱动器