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TK35A65W

网站管理员 2024-04-20

            TK35A65W应用 应用 应用 应用 • 开关稳压器 2.2. 2.2. 特点 特点 特点 特点 (1) 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.068 Ω(典型值),使用超级结 结构:DTMOS (2) 易于控制 栅极切换 (3) 增强模式:Vth = 2.5 至 3.5 V(VDS = 10 V,ID = 2.1 mA


东芝 DTMOSIV 系列 MOSFET

东芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先进的单外延工艺,可将 R 降低 30%DS(开),MOSFET的品质因数(FOM),与其前身DTMOSIII相比。R 的这种减少DS(开)可以容纳较低的 RDS(开)相同封装的芯片。这有助于提高效率并减小电源的尺寸。东芝DTMOSIV MOSFET是与开关稳压器配合使用的理想选择。

特征

  • 低漏源导通电阻
  • 易于控制的栅极开关
  • R 降低 30%DS(开)与上一代产品相比
  • 电源开关效率最高
  • 减少 C操作系统
  • 封装选项包括 DPAK、IPAK、D2PAK、8mm x 8mm DFN、I2PAK、TO-220、TO-220SIS、TO-247、TO-3P(N) 和 TO-3P(L)

应用

  • 开关电源 (SMPS)
  • 照明
  • 功率因数控制 (PFC)
  • 工业(包括UPS)

方框图

原理框图 - Toshiba DTMOSIV 系列 MOSFET


附件下载

TK35A65W,S5X_规格书

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