产品属性
类型 描述

类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列 -
包装 卷带（TR）
剪切带（CT）
零件状态 不适用于新设计
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 14 毫欧 @ 11.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 24 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1200 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）